富士通:汽车市场将迎来ReRAM的新纪元




在最近召开的“NVSMW 2006(第21届非易失性半导体存储器协会)”上,富士通研究院表示将开始开发新的非易失性存储器ReRAM(电阻式RAM,电阻式存储器)。富士通的目标是使用以汽车行业为代表的混合闪存市场,力争在2010年左右达到实用水平。2005年,据报道,英特尔,美国Spansion和日本NTT都参与了ReRAM领域,发展变得越来越活跃。汽车市场的ReRAM时代即将来临。

富士通表示,ReRAM可以满足混合领域的功耗,数据读取时间,单元面积和工艺温度要求。例如,功耗为“工作电压低于1.8V,写入电流低于100μA”。数据读取时间小于10 ns,单元面积低于8F2(F为设计标准),工艺温度低于400°C。新的非易失性存储器如PRAM(相变存储器)和MRAM(磁阻存储器),该公司认为很难满足上述要求。其次,ReRAM在高温环境下具有高可靠性,并且在混合使用应用中处于主导地位,特别是在市场有望扩大的汽车领域。另外,由于只有两个掩模可以添加到逻辑LSI制造工艺中以完成混合,所以可以降低工艺成本。这一次,富士通推出了一种新的工作机制假设和一种记忆组件材料解决方案。

虽然富士通在IC卡的FeRAM(铁电RAM)领域经历了过度生产,但业内人士指出,FeRAM难以将工艺增加到闪存更换产品所需的65-45nm工艺水平。









时间:2019-05-15 14:05:24 来源:娱乐天地娱乐 作者:匿名